STB24N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 18A 150Вт 0,19Ом D Pak
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062326370
- Артикул
- STB24N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB24N60M2
- Fall Time:
- 61 ns
- Rise Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 343,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MDmesh™ МОП-транзисторы второго поколения Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодом оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS1 (вкл.), зарядом затвора (Qg) и собственными емкостями (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB24N60M2 |
| Fall Time: | 61 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.168Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Линейка Продукции | MDmesh II Plus |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 18А |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.168Ом |