Моя заявка (0)
STB24N60M2, MOSFETs N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673086
Артикул
STB24N60M2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STB24N60M2
Fall Time:
61 ns
Rise Time:
9 ns
Цена по запросу
(от 317,70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 18A 150Вт 0,19Ом DІPak

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STB24N60M2
Fall Time:61 ns
Rise Time:9 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г4
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation150Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.168Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:190 mOhms
Линейка ПродукцииMDmesh II Plus
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Непрерывный Ток Стока18А
Рассеиваемая Мощность150Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-262
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.168Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт150
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.168Ом

Техническая документация