Моя заявка (0)

STB23N80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package

STB23N80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005537473
Артикул
STB23N80K5
Бренд
STMicroelectronics
Series
MDmeshв(ў K5
FET Type
N-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Vgs (Max)
В±30V
Цена по запросу
(от 558,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET N-канальный 800 В, 0,23 Ом, тип 16 А, MDmesh K5, силовой MOSFET-транзистор в корпусе D2PAK

Технические параметры

SeriesMDmeshв(ў K5
FET TypeN-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Part StatusActive
Channel TypeN Channel
ManufacturerSTMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Standard Package1
Power Dissipation190Вт
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100ВµA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs280 mOhm @ 8A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)190W(Tc)
Supplier Device PackageD2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Drain Source On State Resistance0.23Ом
Линейка ПродукцииMDmesh K5
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A(Tc)
Непрерывный Ток Стока16А
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C16A(Tc)
Рассеиваемая Мощность190Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.23Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.23 Ом

Техническая документация