STB21N65M5, N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK STMicroelectronics
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017320933
- Артикул
- STB21N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Type
- Power Mosfet
- Brand
- STMicroelectronics
- Type:
- Power MOSFET
Цена по запросу
(от 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | Power Mosfet |
| Brand | STMicroelectronics |
| Type: | Power MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M5 |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 10 ns |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.2 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 50 nC |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.15 Ом |