STB20NM50T4, MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827789
- Артикул
- STB20NM50T4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 8.5 ns
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 654,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 192Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 192W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 192 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 56nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.48nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.2Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
| Линейка Продукции | MDmesh |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 192Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 550 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 250mΩ@10A, 10V |