STB20N95K5, Транзистор N-МОП, полевой, 950В, 11А, 250Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024844545
- Артикул
- STB20N95K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB20N95K5
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 1 552,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB20N95K5 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 48 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 9A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 40nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 17.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 17.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A(Tc) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF@100V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 275mΩ@10V, 9A |