Моя заявка (0)

STB19NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 90Вт, D2PAK

STB19NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 90Вт, D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062540575
Артикул
STB19NF20
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STB19NF20
Fall Time:
11 ns
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STB19NF20
Fall Time:11 ns
Rise Time:22 ns
Tradename:MESH OVERLAY
Вес, г1.67
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:24 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:90 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:15 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:160 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация