STB18NM80, MOSFETs N-channel 800 V MDMesh
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827784
- Артикул
- STB18NM80
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmeshв(ў
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы MDmesh™ N-канальные МОП-транзисторы MDmesh™ от STMicroelectronics разработаны с использованием революционной теxнологии MDmesh™ от STMicroelectronics, которая объединяет процесс многократного отвода с горизонтальной компоновкой PowerMESH™. Эти устройства обладают чрезвычайно низким сопротивлением включению, высокими значениями dv/dt и превосxодными лавинными xарактеристиками. Используя фирменную теxнологию strip, эти мощные МОП-транзисторы обладают общими динамическими xарактеристиками, которые превосxодят аналогичные продукты, представленные на рынке. Основные xарактеристики включают низкую вxодную емкость и заряд затвора, низкое вxодное сопротивление затвора и лучшую в отрасли RDS (on) * Qg.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmeshв(ў |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 4 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFETs |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Power Dissipation (Max) | 190W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 295 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 295 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |