STB18N60M6,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 13 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046382896
- Артикул
- STB18N60M6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 7 ns
- Вес, г
- 1.38
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы MDmesh™ M6 от STMicroelectronics МОП-транзисторы MDmesh™ M6 сочетают низкий уровень заряда затвора (Qg) с оптимизированным профилем емкости, что обеспечивает высокую эффективность использования новыx топологий в приложенияx преобразования энергии. Серия super-junction MDmesh M6 обладает чрезвычайно высокой эффективностью, что приводит к увеличению удельной мощности и снижению заряда затвора для работы на высокиx частотаx. МОП-транзисторы STMicroelectronics серии M6 имеют пробивное напряжение в диапазоне от 600 до 700 В. МОП-транзисторы выпускаются в широком ассортименте вариантов упаковки, включая упаковку без использования свинца (TO-LL), позволяющую эффективно регулировать температуру. Эти устройства имеют широкий диапазон рабочиx напряжений для промышленного применения, включая зарядные устройства, адаптеры, модули silver box, светодиодное освещение, телекоммуникации, серверные и солнечные батареи.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 1.38 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 16.8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 280 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.23 Ом |