STB18N60DM2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 7,6А, 90Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022508032
- Артикул
- STB18N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB18N60DM2
- Fall Time:
- 32.5 ns
Цена по запросу
(от 350 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
600 В 12 А 295 Мом при 6 А, 10 В 90 Вт 5 В при 250uA нулевые МОП-транзисторы D2PAK ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB18N60DM2 |
| Fall Time: | 32.5 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 90W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 800pF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.5 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 260 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 295mΩ@6A, 10V |