Моя заявка (0)

STB16NF06LT4, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 16A 45Вт 0,09Ом D Pak

STB16NF06LT4, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 16A 45Вт 0,09Ом D Pak

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041296966
Артикул
STB16NF06LT4
Бренд
STMicroelectronics
Type:
MOSFET
Brand:
STMicroelectronics
RDS-on
90@10V mOhm
Series:
STB16NF06L
Цена по запросу
(от 142,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:STMicroelectronics
RDS-on90@10V mOhm
Series:STB16NF06L
MountingSurface Mount
Fall Time:12.5 ns
Rise Time:37 ns
Tradename:STripFET
Вес, г1.66
Lead FinishMatte Tin
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Transistor Type:1 N-Channel Power MOSFET
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:7.3 nC
Typical Fall Time12.5 ns
Typical Rise Time37 ns
Max Processing Temp245I300
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55 to 175 °C
Pd - Power Dissipation:45 W
Typical Turn-On Delay Time10 ns
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage±16 V
Typical Turn-Off Delay Time20 ns
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:16 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:17 S
Maximum Continuous Drain Current16 A
Rds On - Drain-Source Resistance:90 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация