STB14NM50N, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060776221
- Артикул
- STB14NM50N
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Type
- MDmesh II Power MOSFET
- Brand
- STMicroelectronics
- Type:
- MDmesh II Power MOSFET
Цена по запросу
(от 354,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MDmesh II Power MOSFET |
| Brand | STMicroelectronics |
| Type: | MDmesh II Power MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | N-channel MDmesh |
| Series: | STB14NM50N |
| Fall Time | 32 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 9 ns |
| Fall Time: | 32 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 42 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 900 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 900 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |