Моя заявка (0)
STB14NK60ZT4, MOSFETs N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004583723
Артикул
STB14NK60ZT4
Бренд
STMicroelectronics
Type:
MOSFET
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STB14NK60ZT4
Fall Time:
13 ns
Цена по запросу
(от 581,05 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8,5А, 160Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:STMicroelectronics
Series:STB14NK60ZT4
Fall Time:13 ns
Rise Time:18 ns
Tradename:SuperMESH
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:75 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:160 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:62 ns
Id - Continuous Drain Current:13.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:11 S
Rds On - Drain-Source Resistance:500 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация