STB14NK50ZT4, MOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827772
- Артикул
- STB14NK50ZT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Width
- 9.35mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 380@10V mOhm
Цена по запросу
(от 480,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 9.35mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 380@10V mOhm |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Package | 3D2PAK |
| Series: | STB14NK50Z |
| Mounting | Surface Mount |
| Rad Hard | No |
| Packaging | Tape & Reel |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 3.95 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 92 nC |
| Typical Fall Time | 12 ns |
| Typical Rise Time | 16 ns |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 ?C |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 54 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 54 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |