STB13NK60ZT4, Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001213443
- Артикул
- STB13NK60ZT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Тип
- MOSFET
Цена по запросу
(от 410 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STB13NK60ZT4 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 4.6 mm |
| Ширина | 9.35 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.35(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| EDA / CAD Models | STB13NK60ZT4 by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | SuperMESH |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 12 ns |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Rise Time (ns) | 14 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Qg - заряд затвора | 92 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 66 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 66@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 210 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 22 |
| Время нарастания | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 5.9 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 61 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.6 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 33@10V |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Typical Gate Threshold Voltage (V) | 3.75 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 11 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 570 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2030@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 4500 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 550@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 52 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 48@25V |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 61 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |