STB13N60M2, , Транзистор полевой , N-канальный, 650В, 11А, 110Вт, корпус D2Pak (TO-263)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014323077
- Артикул
- STB13N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh M2
Цена по запросу
(от 113 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MDmesh™ МОП-транзисторы второго поколения Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодом оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS1 (вкл.), зарядом затвора (Qg) и собственными емкостями (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M2 |
| Тип | MOSFET |
| Series: | STB13N60M2 |
| Fall Time | 9.5 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 10 ns |
| Fall Time: | 9.5 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.57 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263(D2PAK) |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 17 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Описание | 600V, 11A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Тип проводимости | N |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 59*40*51/500 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |