Моя заявка (0)
STB13007DT4, Bipolar Transistors - BJT NPN power transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004827768
Артикул
STB13007DT4
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Вес, г
2
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 146,60 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:D2PAK-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:80 W
Emitter- Base Voltage VEBO:9 V
Continuous Collector Current:8 A
Maximum DC Collector Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:8
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:2 V

Техническая документация