STripFET II N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB120NF10T4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018821889
- Артикул
- STB120NF10T4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Width
- 9.35mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 10.5@10V mOhm
Цена по запросу
(от 966,86 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 9.35mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 10.5@10V mOhm |
| Series | STripFET II |
| Series: | STB120NF10 |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 68 ns |
| Rise Time: | 90 ns |
| Вес, г | 1 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 172 nC |
| Typical Fall Time | 68 ns |
| Typical Rise Time | 90 ns |
| Структура | N-Channel |
| Max Processing Temp | 245I300 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 312 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 312 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 172 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 132 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 132 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 10.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |