STB120N4LF6 полевой N-канальный транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013336732
- Артикул
- STB120N4LF6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Grade
- Automotive
- RDS-on
- 4@10V mOhm
- Package
- 3D2PAK
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 450 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| RDS-on | 4@10V mOhm |
| Package | 3D2PAK |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| Rad Hard | No |
| Packaging | Tape & Reel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2 |
| Серия | STB120N4LF6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Reel |
| Typical Fall Time | 45 ns |
| Typical Rise Time | 95 ns |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55 to 175 ?C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 40A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263(D2PAK) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ?20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 125 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Qg - заряд затвора | 80 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 mOhms |