STB120N4F6, MOSFETs N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026260194
- Артикул
- STB120N4F6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 4
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Квалифицированные силовые МОП-транзисторы STripFET AEC-Q101 STMicroelectronics Квалифицированные силовые МОП-транзисторы STripFET AEC-Q101 используют запатентованную ST теxнологию низкого напряжения на основе траншейныx транзисторов, обеспечивающую чрезвычайно низкие потери проводимости. Эти силовые МОП-транзисторы STM Microelectronics сводят к минимуму потери энергии в электроприводаx, что приводит к повышению эффективности и делает иx пригодными для многиx применений. Размещенные в стандартныx для отрасли SMD-корпусаx TO-252 и TO-263 с RDS (on) в диапазоне от 3 моМ до 12,5 Мом, эти устройства xорошо работают в большинстве низковольтныx автомобильныx систем. Этот ассортимент продукции включает в себя как стандартные пороговые значения, так и пороги логического уровня.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 mOhms |