STB11NM80T4, MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827765
- Артикул
- STB11NM80T4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB11NM80
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 896,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB11NM80 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 3.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43.6 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |