Моя заявка (0)

STB11NM60T4, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5.5 А, 650 В, 400 мОм, 10 В, 4 В

STB11NM60T4, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5.5 А, 650 В, 400 мОм, 10 В, 4 В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8055031162
Артикул
STB11NM60T4
Бренд
STMicroelectronics
Type:
MOSFET
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
11 ns
Rise Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 318,43 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:STMicroelectronics
Fall Time:11 ns
Rise Time:20 ns
Вес, г4
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:30 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:160 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:6 ns
Id - Continuous Drain Current:11 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Forward Transconductance - Min:5.2 S
Rds On - Drain-Source Resistance:450 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V

Техническая документация