STB11NK50ZT4, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 10A 125Вт 0,52Ом D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014888227
- Артикул
- STB11NK50ZT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Тип
- MOSFET
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 10A 125Вт 0,52Ом D Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.57 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STB11NK50Z |
| Высота | 4.6 mm |
| Ширина | 9.35 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Структура | N-МОП |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 4.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Qg - заряд затвора | 49 nC |
| Время нарастания | 18 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1390 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 480 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 77 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 52Ом |