STB11N65M5, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010487561
- Артикул
- STB11N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- D2PAK
- Mounting
- SMD
- Technology
- MDmesh™ M5
- Вес, г
- 1.72
Цена по запросу
(от 329,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Mounting | SMD |
| Technology | MDmesh™ M5 |
| Вес, г | 1.72 |
| Gate charge | 17nC |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 5.6A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 85W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| On-state resistance | 0.48Ω |
| Drain-source voltage | 650V |
| Pulsed drain current | 36A |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.43Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh M5 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.43Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 85 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |