STB10NK60ZT4, MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442070
- Артикул
- STB10NK60ZT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 30 ns
- Rise Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 451,46 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 30 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 2.72 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |