STB10N95K5, 950V 8A 800mOhm@4A,10V 130W null TO-263-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072532850
- Артикул
- STB10N95K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STB10N95K5
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 14 ns
Цена по запросу
(от 393,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы STMicroelectronics SuperMESH для поверxностного монтажа
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STB10N95K5 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 1.86 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 130Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 130W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 630pF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.65Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 800 mOhms |
| Линейка Продукции | SuperMESH 5 Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Рассеиваемая Мощность | 130Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.65Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 800mΩ@4A, 10V |