STB10LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004827761
- Артикул
- STB10LN80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh K5
Цена по запросу
(от 330,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh K5 |
| Series: | STB10LN80K5 |
| Fall Time | 13 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 10 ns |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 11.8 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.55 Ом |