Моя заявка (0)

STB100NF04T4, Транзистор N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 2,9А, Idm 16А

STB100NF04T4, Транзистор N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 2,9А, Idm 16А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062494623
Артикул
STB100NF04T4
Бренд
STMicroelectronics
Width
9.35mm
Series
STripFET II
Вид
MOSFET
Тип
MOSFET
Цена по запросу
(от 430 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 40 Volt 120 Amp

Технические параметры

Width9.35mm
SeriesSTripFET II
ВидMOSFET
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г1.71
Длина10.4 mm
СерияSTB100NF04
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота4.6 mm
Ширина9.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада50 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation300 W
Typical Gate Charge @ Vgs110 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance5 mΩ
Время нарастания220 ns
Maximum Continuous Drain Current120 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности300 W
Id - непрерывный ток утечки120 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения80 ns
Типичное время задержки при включении35 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.150 S

Техническая документация