Моя заявка (0)

STB100N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 150Вт 0,008Ом D Pak

STB100N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 150Вт 0,008Ом D Pak

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8042953579
Артикул
STB100N10F7
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STB100N10F7
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
40 ns
Цена по запросу
(от 694,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STB100N10F7
Fall Time:15 ns
Rise Time:40 ns
Tradename:STripFET
Вес, г0.43
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:61 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:27 ns
Typical Turn-Off Delay Time:46 ns
Id - Continuous Drain Current:80 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация