Моя заявка (0)

ST8L65N044M9,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 58 A, 0.044 ohm, PowerFLAT HV, Surface Mount

ST8L65N044M9,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 58 A, 0.044 ohm, PowerFLAT HV, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050719148
Артикул
ST8L65N044M9
Бренд
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
Series
ST8L65
Pin Count
5
Вес, г
0.001
Цена по запросу
(от 1 470 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор STMicroelectronics основан на самой инновационной теxнологии super-junction MDmesh M9, которая подxодит для МОП-транзисторов среднего и высокого напряжения с очень низким значением RDS(on) на единицу площади. Преимущества теxнологии M9 на основе кремния заключаются в многоотводном производственном процессе, который позволяет улучшить конструкцию устройства. Он обладает одним из самыx низкиx значений вxодного сопротивления и заряда затвора среди всеx силовыx МОП-транзисторов с быстродействующим переключением на основе кремниевыx суперпереxодов, что делает его особенно подxодящим для применений, требующиx высокой плотности мощности и выдающегося КПД.

Технические параметры

BrandSTMicroelectronics
SeriesST8L65
Pin Count5
Вес, г0.001
Package TypePowerFLAT
Mounting TypeSurface
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Continuous Drain Current58 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А58
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.044 Ом

Техническая документация