ST13007D, Транзистор: NPN, биполярный, 700В, 8А, 80Вт, TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062545246
- Артикул
- ST13007D
- Бренд
- STMicroelectronics
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tube
- Вес, г
- 1.98
Цена по запросу
(от 259,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tube |
| Вес, г | 1.98 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | ST13007D |
| Power - Max | 80W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 80Вт |
| Структура | npn |
| Base Product Number | ST13007 -> |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Collector Current (Ic) | 8A |
| Power Dissipation (Pd) | 80W |
| DC Current Gain hFE Min | 8hFE |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Continuous Collector Current | 8А |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 8@5A, 5V |
| Collector Emitter Voltage Max | 400В |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 2A, 8A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100ВµA |
| DC Усиление Тока hFE | 8hFE |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5A, 5V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 400V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2V@8A, 2A |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 18 at 2 A at 5 V, 8 at 5 A at 5 V |