Моя заявка (0)

SST4403HZGT116, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount

SST4403HZGT116, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8584945841
Артикул
SST4403HZGT116
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы TO-236-3 (SOT-23-3) мощностью 40 В 200 МВт, 100 при 150 мА, 1 В 600 мА - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SST4403HZG
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)600mA
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)200mW
Pd - Power Dissipation:350 mW
DC Current Gain hFE Max:300
Gain Bandwidth Product fT:200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@150mA, 1V
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Continuous Collector Current:-600 mA
Maximum DC Collector Current:600 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:100
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:750 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)750mV@500mA, 50mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40