SST3904T116, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000816773
- Артикул
- SST3904T116
- Бренд
- Rohm
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- SST3904
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.026
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 40V 20MA
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | SST3904 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.026 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | SST3904 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 0.95 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 300 |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
| Continuous Collector Current | 200мА |
| Maximum DC Collector Current | 0.2 A |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Другие названия товара № | SST3904 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 200 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |