Моя заявка (0)
SST2907AT116, Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 0.6A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006351650
Артикул
SST2907AT116
Бренд
Rohm
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 22,50 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 60V 0.6A

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.01
Длина2.9 mm
СерияSST2907A
Power - Max350mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота0.95 mm
Ширина1.3 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypePNP
Simulation Modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Структураpnp
Base Product NumberSST2907 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition200MHz
Other Related Documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Supplier Device PackageSST3
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаROHM Semiconductor
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности350 mW
Другие названия товара №SST2907A
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация