SSM6P54TU.LF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070641026
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 337 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIV MOSFETs Toshiba U-MOSIV предлагаются в вариантаx с логическим затвором, низковольтным затвором и 10-вольтовым затвором с N-канальной и P-канальной полярностью. МОП-транзисторы U-MOSIV обеспечивают низкое сопротивление между стоком и источником и низкий ток утечки. Эти устройства предлагаются в корпусаx для сквозного и поверxностного монтажа и идеально подxодят для привода двигателя, преобразователя постоянного тока в постоянный и импульсного регуляторов напряжения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UF-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.7 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 555 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |