SSM6P41FE(TE85L,F), MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-0.72A VDSS=-20V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062318073
- Артикул
- SSM6P41FE(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- FET Type
- 2 P-Channel (Dual)
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-0.72A VDSS=-20V
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | SSM6P41FE |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 150mW |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Base Product Number | TLP621 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | ES6 (1.6x1.6) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.76nC @ 4.5V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Qg - заряд затвора | 1.76 nC |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 720mA |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 720 mA |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 850 mS |