SSM6P35AFE,LF, MOSFETs X34 Small Low Ron Pch x 2 MOSFETs Vdss:-20V, Id:-0.25A, Pd: 0.25W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008530586
- Артикул
- SSM6P35AFE,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 145 ns
- Rise Time:
- 42 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSVII Toshiba U-MOSVII МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы с P-каналом, низковольтным затвором и низким сопротивлением стока-истока. Эти устройства Toshiba имеют диапазон напряжений стока от -12 В до -20 В и постоянный ток стока от -1 А до +14 А. МОП-транзисторы U-MOSVII предлагаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 145 ns |
| Rise Time: | 42 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 420 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +10 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4Ω |