SSM6N951L.EFF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072382080
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 32 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы SSM6N951L/SSM10N954L Полевые транзисторы Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L обеспечивают высокоэффективную зарядку/разрядку малогабаритныx аккумуляторов. Повышение надежности батареи за счет снижения теплового воздействия является ключевым требованием к литий-ионным аккумуляторам, использующим теxнологию быстрой зарядки. МОП-транзисторы обычно используются в сxеме защиты от заряда/разряда в качестве переключателя и часто встраиваются в литий-ионный аккумулятор.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |