SSM6N815R,LF(T, Trans MOSFET N-CH Si 100V 2A 6-Pin TSOP-F T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024475271
- Артикул
- SSM6N815R,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 77 ₽)
Минимальный заказ: 400 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH Si 100V 2A 6-контактный TSOP-F T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 2.2 |
| Package Length | 2.9 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TSOP-F |
| Process Technology | U-MOS VIII-H |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1800 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3.1@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 290@15V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 103@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |