SSM6N813R,LF, MOSFETs X34 Small Signal MOSFET Dual N-ch VDSS=100V, VGSS=+/-20V, RDS(@4.5V)=0.154Ohm, ID=3.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038518855
- Артикул
- SSM6N813R,LF
- Бренд
- Toshiba
- Grade
- Automotive
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
- Power - Max
- 1.5W(Ta)
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Моп-транзисторов 100 В 3,5 А (Ta) 1,5 Вт (Ta) для поверxностного монтажа 6-TSOP-F
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 1.5W(Ta) |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | 175°C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.5A, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | 6-TSOP-F |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 242pF @ 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.154Ом |