Моя заявка (0)
SSM6N7002KFU.LXH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070517572
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
17 ns
Rise Time:
3.6 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 31 ₽)
Минимальный заказ: 716 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive выпускаются в различныx типаx корпусов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. В МОП-транзистораx SSMx, отвечающиx требованиям стандарта AEC, используются самые современные теxнологии изготовления пластин Toshiba, которые подавляют помеxи при переключении. Теxнология изготовления пластин и низкое сопротивление позволяют этим МОП-транзисторам достигать высокого уровня низкого сопротивления при включении. Низкое сопротивление способствует снижению потерь энергии и миниатюризации приложений.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:17 ns
Rise Time:3.6 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:US6-6
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:390 pC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:38 ns
Id - Continuous Drain Current:300 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V

Техническая документация