Dual Silicon N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015633683
- Артикул
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 1.25mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевой транзистор Toshiba, изготовленный из кремниевого материала и имеющий N-канальный МОП-транзистор. Он в основном используется в системаx высокоскоростной коммутации.
Технические параметры
| Width | 1.25mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | US6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Material | Silicon |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.39 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2e+006 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.05 Ом |