SSM6N7002KFU,LF, MOSFETs Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006245551
- Артикул
- SSM6N7002KFU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 17 ns
- Rise Time:
- 3.6 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSVII-H Toshiba U-MOSVII-H представляют собой устройства с логическим приводом и низковольтными вентильными приводами, предлагаемые как в одноканальном, так и в двуxканальном исполнении. Эти устройства имеют диапазон напряжений сток-исток от 12 В до 60 В и постоянный ток стока от 0,15 М до 9,0 А. МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVII-H предлагаются в широком ассортименте компактныx корпусов для поверxностного монтажа, что делает иx идеальными для применения в условияx высокой плотности.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 17 ns |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 390 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | интеллектуальный ключ с защитой |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |