SSM6N68NU,LF(T,Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 4 A, 0.084 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046470930
- Артикул
- SSM6N68NU,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.008
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 30V 4A 6-контактный UDFN-B EP T/R
Технические параметры
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.008 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 2 |
| Package Length | 2 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | UDFN-B EP |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.8@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 12 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 129@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 84@4.5V |
| Крутизна характеристики, S | 5.2 S |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.084 Ом |