SSM6N67NU,LF, MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066164520
- Артикул
- SSM6N67NU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- SSM6N67NU
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=4A VDSS=30V
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | SSM6N67NU |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UDFN-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 3.2 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, - 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 39.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |