SSM6N57NU.LF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070562524
- Бренд
- Toshiba
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
- Длина
- 2 mm
- Серия
- SSM6N57
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Технические параметры
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | SSM6N57 |
| Power - Max | 1W |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 2 mm |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-µDFN(2x2) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UDFN-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Qg - заряд затвора | 3.2 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 82 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |