SSM6N56FE,LM, 20V 800mA 150mW 235mOhm@4.5V,800mA 1V@1mA 2 N-Channel ES-6 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601712
- Артикул
- SSM6N56FE,LM
- Бренд
- Toshiba
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.02
- Структура
- 2 N-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 150mW
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 800 мА 150 МВт 235mOhm@4.5V, 800 мА 1 В@1 мА 2 N-канальныx МОП-транзистора SOT-563(SOT-666) ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.02 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 55pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 800mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 235mΩ@4.5V, 800mA |