SSM6N55NU,LF, Trans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002180332
- Артикул
- SSM6N55NU,LF
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- Unknown
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 1400 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 4A 6-контактный UDFN EP T/R Автомобильный AEC-Q101
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 2 |
| Package Length | 2 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | UDFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | U-MOS VII-H |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.5@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 280@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 46@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |