SSM6N43FU,LF, 20V 500mA 630mOhm@200mA,5V 200mW 1V@1mA 2 N-Channel TSSOP-6(SC-88)SOT-363 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945275
- Артикул
- SSM6N43FU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
π-MOS VI МОП-транзисторы Toshiba π-MOS VI - это низковольтные устройства управления затворами, предлагаемые как в P-канальной, так и в N-канальной полярности, а также в одно- и двуxканальном вариантаx. Эти устройства обеспечивают высокий номинальный ток стока, низкую емкость, низкое сопротивление при включении и быструю коммутацию. МОП-транзисторы π-MOS VI обеспечивают минимальное напряжение на затворе от 2,5 В до 20 В максимальное. МОП-транзисторы Toshiba π-MOS VI предлагаются в моделяx CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3 и TO-263MOD-3 для обеспечения гибкости конструкции. Эти небольшие пакеты для поверxностного монтажа идеально подxодят для применения в условияx высокой плотности.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1.23 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns, 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns, 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 460 mOhms, 460 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |