SSM6N36TU,LF, MOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 UF6 (SOT-363F)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018637716
- Артикул
- SSM6N36TU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-363 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UF-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1.23 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Forward Transconductance - Min: | 420 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 630 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |